IRFH5210TRPBF

1. Низькі втрати провідності
2. Забезпечує краще розсіювання тепла
3. Підвищена надійність
4. Підвищена щільність потужності
5. Сумісність із різними постачальниками
6. Полегшене виробництво
7. екологічно чистіше
8. Підвищена надійність

Номер деталі виробника: IRFH9310TRPBF
Виробник/брендInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Частина опису: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Статус відсутності свинцю / Статус RoHS: Без свинцю / Відповідає RoHS
Стан на складі: Новий оригінал, 12000 штук на складі.
Відправка: Гонконг
Спосіб доставки: DHL/Fedex/TNT/UPS
Атрибут продукту Значення атрибута Виберіть атрибут
Номер деталі IRFH9310TRPBF
Виробник/бренд International Rectifier (Infineon Technologies)
Кількість на складі 12000 шт
Категорія Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - FET, MOSFET - Одинарні
Опис MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Статус відсутності свинцю / Статус RoHS: Без свинцю / Відповідає RoHS
Ширина - всередині -55°C ~ 150°C (TJ)
Напруга/струм - вихід 1 PQFN (5x6)
Допуск 5250pF @ 15V
Хвостовий тип P-каналу
MOSFET (оксид металу)
Термоусадка Infineon Technologies
Тип SFP/XFP ±20 В
Можливість дистанційного керування HEXFET®
Крок - поверхневий монтаж кабелю
Інші назви Не містить свинцю / Відповідає RoHS
Інші назви 1
Тип генератора 8-PowerVDFN
Кількість ЦАП 30В
Мінімальна питома вага рідини -
Орієнтація сполучення 4,6 мОм при 21 А, 10 В
Номер деталі виробника IRFH9310TRPBFDKR-ND
Довжина - Barrel Digi-Reel®
Колір лампи 4,5 В, 10 В
Висока сторона напруги - макс. (Bootstrap) 21 A (Ta), 40 A (Tc)
Функція 58 нК при 4,5 В
Активне живлення котушки
Ємність каналу (CS (вимк.), CD (вимк.)) 3,1 Вт (Ta)
Тип пристрою зчитування карток 2,4 В при 100 мкА
Особливості та переваги
Характеристики Результативні переваги
Низький RDSon (≤ 4,6 мОм) Менші втрати провідності
Пакет промислового стандарту PQFN Сумісність із різними постачальниками
Відповідає RoHS, не містить свинцю, броміду та галогену. Екологічно безпечніше
призводить до
Примітка
Форма Кількість
IRFH9310TRPBF PQFN Стрічка та котушка 5 мм x 6 мм 4000
Номер деталі для замовлення Тип упаковки Стандартна упаковка
VDS -30 В
RDS (увімкнено) макс
(@VGS = 10 В) 4,6 мОм
Qg (типовий) 110 нКл
RG (типовий) 2,8 Ом
ID
(@TA = 25°C) -21 А
Абсолютні максимальні рейтинги
Одиниці вимірювання параметрів
Напруга стоку до джерела VDS
VGS Напруга від затвора до джерела
ID @ TA = 25°C Постійний струм витоку, VGS @ -10 В
ID @ TA = 70°C Постійний струм витоку, VGS @ -10 В
ID @ TC = 25°C Постійний струм витоку, VGS @ -10 В (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Постійний струм витоку, VGS @ -10 В (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Постійний струм витоку, VGS @ -10 В (Package Limited)
Імпульсний струм стоку IDM
PD @TA = 25°C Розсіювання потужності
PD @ TA = 70°C Розсіювання потужності
Лінійний коефіцієнт зниження Вт/°C
TJ Operating Junction and
Діапазон температур зберігання TSTG
Повторюваний рейтинг;ширина імпульсу обмежена макс.температура з'єднання.
Початкова температура TJ = 25°C, L = 1,1 мГн, RG = 50 Ом, IAS = -17 A.
Ширина імпульсу ≤ 400 мкс;робочий цикл ≤ 2%.
При встановленні на квадратну мідну плату розміром 1 дюйм.
Rθ вимірюється при TJ приблизно 90°C.
ЛИШЕ для ДОПОМОГИ ДИЗАЙНУ, не підлягає виробничим випробуванням.